Qualcomm a lansat trei noi produse cu puțin timp înainte ca evenimentul anului din lumea mobilă, MWC 2016, să înceapă. Noile procesoare vor putea fi folosite pe mai multe dispoitive mobile dar și pe multe dispozitive purtabile. Qualcomm a lansat trei noi cipseturi Snapdragon pentru telefoane, Snapdragon Wear 2100 și modemul Snapdragon X16 LTE.
Cele trei procesoare mobile includ modelele Snapdragon 625, Snapdragon 435 și Snapdragon 425. Toate procesoarele au fost dezvoltate pentru a oferi produselor o experianță mobilă mai bună mulțumită unei performanțe ridicate, funcțiilor noi dar și un consum de energie mai mic față de modelele anterioare. Snapdragon 625 este construit folosind procesul pe 14nm, la fel ca și modelul de top Snapdragon 820. Produsele oferă suport pentr noile tehnologii ale Qualcomm ca și conexiunile LTE cu agregarea operatorilor, suport pentru WiFi 802.11ac, Qualcomm Hexagon DSP pentru un sunet mai bun dar și suport pentru mai mulți senzori necesari pentru Android M.
Snapdragon 625 oferă o durată de viață a bateriei mai bună oferind un consum cu 35% mai mic față de predecesorul său, Snapdragon 617. Acesta integrează procesorul grafic Adreno 506 alături de modemul LTE X9, capabilități de captură video la rezoluție 4K plus suport pentru codecul H.265 (HEVC).
Snapdragon 435 este dezvoltat pe sistemul 430 pentru a aduce suport pentru modemul LTE X8 iar procesorul Snapdragon 425 are suport pentru modemul îmbunătățit LTE X6, Hexagon DSP dar și multe alte noi funcții ce îi oferă o performață mai ridicată.
Qualcomm a lansat și un procesor nou dedicat dispozitivelor purtabile, Snapdragon Wear 2100. Acesta este cu 30% mai mic ca dimensiune c și are suport pentru tehnologia „always on” și un consum de energie cu 25% mai mic față de generația anterioară de procesoare dedicate dispozitivelor purtabile. Qualcomm spune că mulți producători vor folosi noul model de procesor în perioada următoare.
Ultimul dar nu cel din urmă este noul modem Qualcomm Snapdragon X16 LTE. Acesta este primul modem comercial ce vine cu suport pentru vitezele LTE din clasa Gigabit – adică cu suport pentru viteze de până la 1Gbps. Produsul este dezvoltat folosind procesul de fabricație FinFET de 14nm și va putea fi folosit pe viitoarele dispozitive începând cu a 2-a parte a acestui an.
