Samsung a anunțat că va începe să producă primele module de memorii RAM Through Silicon Via (TSV) cu capacitatea de 128GB. Compania va avea ca țintă sectorul business pentru noile sale module RAM.
Anul trecut, compania a prezentat primul modul de memorie volatilă cu capacitatea de 64GB DDR4. Aceste capacități imense sunt destinate serverelor deoarece acestea sunt mari consumatoare de memorie volatilă RAM iar noul modul DDR4 cu capacitatea de 128GB poate fi unul perfect fără ca acestea să necesite sloturi de memorie în plus.
modulul de memorie TSV DDR4 RAM are o capacitate de 128GB include 144 de cipuri DDR4 aranjate în 36 de pachete a câte 4GB. Procesul de fabricație a cipurilor este unul de 20nm explicând astfel eficiența energetică a acestora. Ca și voteză, noile module de memorie de la Samsung va oferi destulă memorie următoarei generații de servere și va oferi viteze de până la 2400Mbps (300MB/s).
Competitorii Samsung pe acest segment de piață sunt Micron și SK Hynix. Micron a declarat în trecut că va investi mult pentru un proces de fabricație pe 16nm dar, momentan, dominația producătorului Sud Coreean a rămas neatinsă.
